全球最小的SRAM芯片單元

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　　英特爾高級副總裁兼生產(chǎn)制造事業(yè)部總經(jīng)理SunlinChou先生說："英 特爾新型的一平方微米SRAM單元為硅技術確立新的密度標準。這一結果使我們在微處理器和其它產(chǎn)品的0.09微米制造工藝方面居于領先地位。"

　　通過使用新型0.09微米制造工藝，英特爾保持了每兩年推出一代新工藝的記錄。公司將使用這一工藝生產(chǎn)許多其它產(chǎn)品，包括處理器、芯片組和通信產(chǎn)品。英特爾計劃只將0.09微米工藝應用在300毫米(12英寸)晶圓上。

　　全球最小的SRAM芯片單元

　　英特爾研究人員制造出的52Mb存儲芯片(能夠存儲5200萬獨立比特的信息)，在僅為109平方毫米的芯片上集成有3.3億顆晶體管--比一個一角美元硬幣還小。這是迄今為止報道過的容量最大的SRAM。

　　這些芯片在英特爾位于俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發(fā)工廠(D1C)制造，配合使用先進的193納米和248納米液相工具。

　　制造SRAM芯片是業(yè)界常用的測試下一代邏輯制造工藝的方式。存儲單元的尺寸大小非常重要，因為這使得英特爾可以通過添加更多的片上緩存，增加整體邏輯密度，經(jīng)濟有效地提升微處理器性能。成功生產(chǎn)SRAM同時顯示了使用0.09微米工藝生產(chǎn)微處理器時所需要的全部特性都已經(jīng)成熟，其中包括高性能晶體管及高速銅線互連。

　　美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)等機構共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點有效靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。 　　SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產(chǎn)業(yè)中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。 　　新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導體研究都在這里進行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進行研究，朝著先進的下一代半導體技術前進。新的研究成果對于不斷驅動微電子設備小型化的追求，可以說至關重要。”

　　22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝(high-K metal gate technology)。

　　從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過縮小基本構建單元，來制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻(high-NA immersion lithography)技術刻出了模式維度和密度，并且在先進的300毫米半導體研究環(huán)境中制作了相關部件。

　　與SRAM單元相關的關鍵技術包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結構(spacer)、共同摻雜、先進激活技術、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。

　　據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設備(IEDM)年會上，還會有專門的報告來介紹最新成果的細節(jié)。