FSB與內存頻率有什么關系

FSB與內存頻率有什么關系

　　說到內存其中一個重要參數就是內存頻率，以及一個重要概念FSB(Front Side Bus：前端總線)和內存比率與內存實際運行頻率的關系,接下來為大家介紹下CL(時序)可選值的設置，希望能幫到您!

　　FSB與內存頻率的關系

　　首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端總線)和內存比率與內存實際運行頻率的關系。 FSB/MEM比率 實際運行頻率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz

　　對于大多數玩家來說，FSB和內存同步，即1:1是使性能最佳的選擇。而其他的設置都是異步的。同步后，內存的實際運行頻率是FSBx2，所 以，DDR400的內存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB為240MHz，則同步后，內存的實際運行頻率為240MHz x 2 = 480MHz。FSB與不同速度的DDR內存之間正確的設置關系

　　強烈建議采用1：1的FSB與內存同步的設置，這樣可以完全發揮內存帶寬的優勢。內存時序設置

　　內存參數的設置正確與否，將極大地影響系統的整體性能。下面我們將針對內存關于時序設置參數逐一解釋，以求能讓大家在內存參數設置中能有清晰的思路，提高電腦系統的性能。

　　涉及到的參數分別為： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他參數的設置 CPC : Command Per Clock

　　可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然后才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。

　　顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

　　該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL)

　　可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

　　一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

　　CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說 是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。

　　內存是根據行和列尋址的，當請求觸發后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電后，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最后一個步驟，也是內存參數中最重要的。

　　這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳 送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或 2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

　　該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值 為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。tRCD : RAS to CAS Delay

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在 JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時， 系統將處于最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。

　　如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

　　補充：內存常見維護保養技巧

　　1.對于由灰塵引起的內存金手指、顯卡氧化層故障，大家應用橡皮或棉花沾上酒精清洗，這樣就不會黑屏了。

　　2.關于內存混插問題，在升級內存時，盡量選擇和你現有那條相同的內存，不要以為買新的主流內存會使你的電腦性能很多，相反可能出現很多問題。內存混插原則：將低規范、低標準的內存插入第一內存插槽(即DIMM1)中。

　　3.當只需要安裝一根內存時，應首選和CPU插座接近的內存插座，這樣做的好處是：當內存被CPU風扇帶出的灰塵污染后可以清潔，而插座被污染后卻極不易清潔。

　　4.安裝內存條，DIMM槽的兩旁都有一個卡齒，當內存缺口對位正確，且插接到位了之后，這兩個卡齒應該自動將內存“咬”住。 DDR內存金手指上只有一個缺口，缺口兩邊不對稱，對應DIMM內存插槽上的一個凸棱，所以方向容易確定。而對于以前的SDR而言，則有兩個缺口，也容易確定方向，不過SDR已經漸漸淡出市場，了解一下也無妨;而拔起內存的時候，也就只需向外搬動兩個卡齒，內存即會自動從DIMM(或RIMM)槽中脫出。

　　相關閱讀：常用內存條辨別真偽方法

　　查看內存標簽：正品金士頓內存標簽印刷清晰規則，而假貨則明顯粗糙淺淡，字體顯得比較單薄。另外，真假金士頓內存標簽的排版規則也有很大出入，請仔細觀察。

　　查看內存顆粒：通過圖片中金士頓內存顆粒可以清晰看出，正品金士頓內存顆粒印刷清晰，而假內存的顆粒則非常暗淡，與正品形成鮮明對比。對于一款內存，PCB電路板僅占內存成本的百分之十左右，而內存顆粒才是決定內存價格的重點。因此，通常假貨的PCB基本也是正規代工廠制造，而顆粒則采用行話里的“白片”，就是我們所說的次品，價格低廉，但穩定性和兼容性很差。

　　查看注冊商標標識：正品金士頓的注冊商標“R”的周圍清楚的印有由"KINGSTON"英文字母組成的圓圈，而假貨則明顯胡亂仿制的一個圓框而已。還有一點，仔細觀察標簽內部的水印，假內存水印和KINGSTON字體銜接處都有明顯的痕跡，證明是后印刷的，這在正品金士頓內存中是不會出現的。

　　金手指辨認：下為正品金士頓內存的金手指。正品金士頓內存的金手指色澤純正、紫色方框內的金手指連接部位經過鍍金;假冒金士頓內存的金手指色澤略顯暗淡，紅色方框內的金手指連接處為PCB板的銅片，并未鍍金。

　　PCB板上的字體辨認：左為正品金士頓內存。正品金士頓內存的字體均勻，無明顯大小區別，并且有相關的認證符號。假冒金士頓內存的字體不一，無相關認證符號。

　　K字標簽：這是使用單反相機進行微距拍攝，同時打開閃光燈拍攝真假標簽，正品標簽的鐳射圖案能看出密集的銀粉顆粒，K字并不明顯，背景呈藍色。而假冒標簽的K字十分明顯，銀粉顆粒的密度較低。

　　翻轉角度查看防偽：正品金士頓內存的鐳射防偽標簽，通過變換角度能呈現出兩種圖案，第一種圖案為上半沿帶銀粉效果，下半沿呈半個K漬;第二種圖案為下半沿帶銀粉效果，上半沿呈半個K字。而假冒標簽就只有一種圖案，就是整個呈現出來一個很明顯的K字。

　　查詢序列號：驗證方式內存產品編輯短信“M+產品SN序列號”發送至0212 333 0345

　　按照金士頓官方的說法，我輸入“M36785241571636”發到“02123330345”即可查詢內存真偽!