電腦如何優化內存條的方法
計算機網絡技術的快速發展,使得其在信息傳輸方面的優勢得到了體現?，F在,人們在生活和工作中對計算機網絡的依賴程度非常高,因此,計算機網絡也慢慢成為了信息傳遞的主要方式。下面是學習啦小編為大家整理的關于電腦如何優化內存條的方法，一起來看看吧!
電腦如何優化內存條的方法
內存負責向CPU提供運算所需的原始數據，現在CPU運行速度超過內存數據傳輸速度很多，因此就造成了CPU很多時候都在等待內存提供數據的情況。這就是我們通常所說的“CPU等待時間”，或所謂的“內存瓶頸”。內存傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內存是有效提升CPU效率和整機性能的關鍵之一。通常情況之下，購買新的、更快速的內存是解決內存瓶頸最直接的辦法。不過，利用我們現有的內存，好好做一番優化設置，也能收到異曲同工之妙的效果，而且還不用花錢。
上期我們已經介紹過了，目前主流內存分為SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種。這三種內存有一個共同點，就是它們都以與系統CPU的外部頻率相同的頻率工作，這個頻率也就是我們常說的一個術語——FSB(Front Side Bus，前端總線)頻率?，F在的主板都具有比較高的“智能”，這三種內存在插到相對應的主板后，都能自動設置正確的運行頻率。因此，即使我們不進行任何設置或調整，絕大多數內存都能實現“即插即用”。不過，幾乎所有主板的內存相關參數出廠初始設置都比較保守，并不能將內存的性能充分發揮。下面，我們針對三種內存來分別介紹其各自的優化方法。
(注：我們以下所談到的內存優化都限于在主板BIOS提供的功能上。開機時按住“Del”鍵就可以進入BIOS的設定界面，具體設置菜單項一般是“ChiPset Features Setup”或“Advanced Chipset Features”。修改參數通常是用“PageUp/PageDown”鍵或更為直觀的回車選擇菜單兩種方式，修改完成后，一定記住按“F10”鍵保存。所有修改在系統重新啟動之后生效。)
RDRAM內存優化
RDRAM的設置和優化是最簡單的。RDRAM分兩種規格——PC600和PC800，還有一種是不太正式的PC700，性能以PC600最低而PC800最高。要正確設置RDRAM，首先要做的就是認清自己的內存是哪種規格。
圖1 由于RDRAM的工作規范要求極高，因此大部分Pentium 4主板都沒有提供超頻的功能，我們只要在BIOS中將“RDRAM Bus Frequency”選項設置成與內存條相同的頻率就可以了。這里，400MHz對應PC800內存條，而300MHz對應PC600內存條(PC700內存條只能當PC600來用)。
圖2 這是一條PC800的RDRAM內存條，我們從內存標牌上可以明顯地找到它的規格標記。
SDR/DDR內存優化
DDR SDRAM的設置與SDRAM大致相同，因此我們就以SDRAM為例一并介紹。
SDRAM有3個正式的規格——PC66、PC100和PC133;DDR SDRAM則有PC1600和PC2100兩種規格。個別廠商針對超頻愛好者的需要，也提供了PC150和PC166這兩種非正式規格的SDRAM內存條，DDR SDRAM也有PC2700的非正式規格產品出現。這些數值其實代表了這些內存能穩定運行的最大頻率，如PC133內存的最大穩定運行頻率就應該為133MHz。但在BIOS設置選項中，很少可以直接選擇內存規格。更多的是以設置FSB頻率或內存的運行時鐘周期來間接設置內存規格。
圖3 前面我們已經說過了，內存的運行頻率與FSB相同。FSB設置選項往往在BIOS中與CPU頻率的設置在一起，其實就是以設置CPU運行頻率(倍頻和外頻)的方式來實現的。
圖4 這塊主板則是通過內存的存取時鐘周期來設置內存運行頻率的。計算內存時鐘周期與運行頻率關系的簡化公式是：1÷內存時鐘周期×1000MHz。如7.5ns的SDRAM，它的運行頻率就是1÷7.5×1000MHz≈133MHz。圖中的內存設置為8ns，其實它只能算是PC100的內存。
圖5 SDRAM和DDR SDRAM在內存芯片上都標注了該內存的存取時鐘周期，我們不僅可以根據這個數值來正確設置內存，還可以用它來判斷內存是否符合標稱的規格。
正確設置內存運行頻率僅僅只是優化內存的第一步，想要獲得更好的性能，調節FSB是最有效的手段。但由于這會使CPU運行頻率隨之上升，因此并不見得CPU就能穩定運行。一旦CPU的超頻能力足夠，那么內存的最大穩定運行頻率也就至關重要了，這也就是為什么發燒友們總是對PC150、PC166內存情有獨鐘的原因。
目前絕大多數主板的BIOS都提供了對內存參數進行微調的功能，但廠商不同、具體主板采用的芯片組不同，可以調節的項目也不相同。由于內存運行參數微調涉及到非常專業的知識，這里我們只告訴大家該調節一些什么項目，以及怎樣調節。
圖6 CL值是調節最頻繁的內存參數。CL是CAS Latency(CAS延時)的簡寫，該參數對內存性能的影響最大，CL值越小表明內存的性能越高。按PC133規范的技術文檔說明，只有運行頻率為133MHz、CL=2的內存，才真正符合PC133標準。目前市面上的很多所謂的PC133內存都不能做到CL=2。DDR SDRAM內存的CL目前大多為2.5或2。
圖7 大多數主板BIOS都可以設置CL參數的值(在主板BIOS中該參數有的表示為CAS Latency，有的為SDRAM CAS Latency Time，也有如圖表示為SDRAM Cycle Length的)，這個參數理論上可以隨便設置，因此可以盡量嘗試減小該值。但此舉如導致系統無法啟動或運行中死機，就應該及時還原該參數。
圖8 部分主板提供了更為詳細的三個內存參數選擇——SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay 和SDRAM CAS Latency Time。這幾個數值都可以慢慢嘗試將其減小。
圖9 從VIA 693芯片組開始，VIA公司的所有芯片組還支持一個比較特殊的設置，這就是SDRAM的四路交錯(4 Way Interleave)。該參數可以大大提高SDRAM的預充電效率，從而提升內存性能。目前很多采用VIA芯片組的主板都有這個設置，它們在菜單中的選項往往被稱為Bank Interleave。在設置時，我們只要將其更改為4 Bank或4 Way Interleave即可。
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