cpu有多少晶體管

　　晶體管(transistor)是一種固體半導體器件，下面是學習啦小編帶來的關于cpu有多少晶體管的內容，歡迎閱讀!

　　cpu有多少晶體管：

　　1972年，英特爾發布了第一個8位處理器8008。1978年，英特爾發布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬個晶體管。1978年：英特爾標志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部，武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進版，含有2.9萬個晶體發布英特爾酷睿i7處理器管，運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(FORTUNE) 500強企業排名，《財富(FORTUNE)》雜志將英特爾公司評為“70年代商業奇跡之一(Business Triumphs of the Seventies)”。

　　1982年：286微處理器(全稱80286，意為“第二代8086”)推出，提出了指令集概念，即現在的x86指令集，可運行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個晶體管，運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。1985年：英特爾386微處理器問世，含有27.5萬個晶體管，是最初4004晶體管數量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務處理能力，即它可在同一時間運行多個程序。

　　1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個晶體管，采用英特爾0.8微米制程技術生產。1999年2月：英特爾發布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬個晶體管，采用英特爾0.25微米制程技術生產。2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺式電腦由此可實現每含30億晶體管的GF110核心秒鐘22億個周期運算。它采用英特爾0.13微米制程技術生產，含有5500萬個晶體管。

　　2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術的若干技術突破，包括高性能、低功耗晶體管，應變硅，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中采用應變硅。2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動優化微體系架構，采用英特爾0.13微米制程技術生產，包含7700萬個晶體管。

　　2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個晶體管，采用英特爾領先的90納米制程技術生產。2006年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發布，采用世界最復雜的產品設計，含有2.7億個晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術生產。2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管，采用英特爾65納米制程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。

　　2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米制程產品正在開發，面向臺式機、筆記本和企業級計算市場，研發代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構派生而出。2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發布了針對桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個晶體管。

　　制作：光刻蝕 這是目前的CPU制造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什么這么說呢?光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對于所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小只有100個平方毫米的芯片上，那么這個芯片的結構有多么復雜，可想而知了吧。

　　當這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。 摻雜 在殘留的感光層物質被去除之后，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由于此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列端口電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然后，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作端口。