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        bios里面怎么設置內存

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        bios里面怎么設置內存

          bios里面怎么設置內存?下面學習啦小編就給大家整理收集了bios里面設置內存的方法,供你學習閱覽,希望能對你有幫助!

          bios里面設置內存的方法

          Above 1MB Memory Test:設置開機自檢時是否檢測1M以上內存。該選項已經在新的BIOS中被淘汰。由于內存價格暴跌,電腦用戶安裝內存容量陡然增加,開機時的大容量內存自檢時間太長,今后,即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。

          Auto Configuration:設置為允許時,BIOS按照最佳狀態設置。BIOS可以自動設置內存定時,因此會禁止一些對內存設置的修改,建議選擇允許方式。

          Memory Test Tick Sound:是否發出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩,可以關閉它們。

          Memory Parity Error Check:設置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代,已經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。

          Cache Memory Controller:是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。

          Shadow RAM Option:設置系統BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規內存中。可以加快速度,但也可能造成死機。

          Internal Cache Memory:是否使用CPU內部緩存(一級緩存)。可以提高系統性能。

          External Cache Memory:是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)。可以提高系統性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現,使主板上的二級緩存退居成三級緩存。

          Concurrent Refresh:直譯是同時發生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內存同時刷新,可以提高系統性能。

          DRAM Read Wait State:設置CPU從內存讀數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

          DRAM Write Wait State:設置CPU向內存寫數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

          Slow Refresh:對質量好的內存,保持數據的時間比較長,可以設置更長的時間周期,從而提高系統性能。

          Shadow Cachecable:把映射到常規內存的BIOS ROM增加高速緩存,使性能更進一步。

          Page Mode:使內存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。

          RAS Timeout Counter:使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內存RAS周期,因此采用計數器來監視RAS周期,一旦超過RAS周期,則將周期 自動復位為0。

          Memory Relocation:內存重新定位。即將384的上位內存(Upper Memory Block)數據轉儲到1MB以上的擴展內存中。

          Memory Hole:有人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊的ISA擴展卡使用,可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設置成禁止,除非ISA擴展卡有專門的說明。

          DRMA Timing Setting:快頁內存或EDO內存速度設置,通常是60ns或70ns選擇,對10ns或更快的SDRAM內存無效。

          Fast MA to RAS Delay:設置內存地址(Memory Address)到內存行地址觸發信號(RAS)之間的延遲時間。

          DRAM Write Brust Timing:CPU把數據寫如高速緩存后,再寫如內存的延遲時間。

          Fast RAS To CAS Delay:行地址觸發信號到列地址觸發信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

          DRAM Lead-Off Timing:CPU讀/寫內存前的時間。

          DRAM Speculative Read:設置成允許時,讀內存的時間比正常時間提前一個時間周期,可以提高系統性能。

          DRAM Data Integrity Mode:選擇內存校驗方式是Parity或ECC。

          Refresh RAS Assertion:設置內存的行地址刷新時間周期,對質量好的內存可以延遲刷新,從而提高系統性能。

          RAS Recharge Period:內存行地址信號預先充電所需要的時間。

          Fast EDO Path Select:設置選擇對EDO內存讀/寫的快速途徑,可以提高系統性能。

          SDRAM RAS Latency:設置SDRAM內存的行地址觸發到列地址觸發的時間延遲。

          SDRAM RAS Timing:設置系統對SDRAM內存的行地址觸發時間,也即刷新時間。

          Peer Concurrency:為提高系統并行,使CPU對高速緩存或內存或PCI設備,或PCI的主控信號對PCI外圍設備等等操作同時進行。系統智能越高,同CPU并行的操作越多,性能提高越多。

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